Was ist diffusionsspannung?

Gefragt von: Herr Prof. Friedrich-Wilhelm Lindemann B.Eng.  |  Letzte Aktualisierung: 18. Mai 2021
sternezahl: 4.7/5 (14 sternebewertungen)

Die Diffusionsspannung U_{D}, selten auch Antidiffusionsspannung genannt, ist die Potentialdifferenz über eine Raumladungszone, die der Diffusion von Ladungsträgern entgegenwirkt. Sie ist materialabhängig und beträgt für Silizium ≈ 0,7 V und für Germanium ≈ 0,3 V.

Was versteht man unter der Diffusionsspannung?

, selten auch Antidiffusionsspannung genannt, ist die Potentialdifferenz (elektrische Spannung) über eine Raumladungszone, die der Diffusion von Ladungsträgern (Elektronen und Defektelektronen) entgegenwirkt.

Wie entsteht Diffusionsspannung?

Diffusionsspannung. Durch die Ladungsträgerdiffusion ist ein Ionengitter entstanden. Es ist eine an freien Ladungsträgern verarmte Sperrschicht und wird auch Raumladungszone genannt. In dieser Schicht herrscht ein starkes elektrisches Feld, das weitere Elektronenwanderungen verhindert.

Was ist die Sperrschicht?

Sperrschicht, im Sperrfall (Sperrichtung) der p-n-Diode die verbreiterte Raumladungszone am Übergang. Sie drängt die Ladungsträger aus sich heraus und verhindert somit den Stromfluß bis auf den geringen Sperrstrom durch die Diode.

Was ist der Driftstrom?

Als Driftströmung (auch „Driftstrom“ und „Triftstrom“) wird eine oberflächennahe Meeresströmung bezeichnet, die hauptsächlich durch den Einfluss länger anhaltender Winde bei gleicher Windrichtung hervorgerufen wird.

Was ist die Durchlassspannung Diffussionspannung Diode Vorwärtsspannung Flussspannung Knickspannung

35 verwandte Fragen gefunden

Wie entsteht eine Raumladungszone?

Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss oder ein Mangel an Ladungsträgern vorherrscht, so dass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Die RLZ entsteht durch Diffusion der negativen/positiven Ladungsträger in das P-Gebiet(P-dotiert)/N-Gebiet(N-dotiert). ...

Warum hat jede raumladungszone eine Kapazität?

Im Sperrfall (der p-Halbleiter wird mit einer negativen Spannung gegenüber dem n-Halbleiter beaufschlagt) verstärkt sich die elektrische Feldstärke im Bereich der Raumladungszone und führt zu einem erhöhten Driftstrom. Die Raumladungszone nimmt in der Größe zu, bis sich ein neues Gleichgewicht einstellt.

Wie entsteht eine Sperrschicht?

Diese Sperrschicht entsteht infolge der Wärmebewegung der Moleküle durch Diffusion: In die Grenzschicht füllen die die freien Elektronen des N-Leiters die Löcher des P-Leiters. Chemisch (Valenz-Elektronen) ausgeglichen aber elektrische Ladungsverschiebung.

Was passiert am pn Übergang?

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor.

Was versteht man unter der Schleusenspannung?

Ab einer bestimmten Durchlassspannung UF steigt der Durchlassstrom IF stark an. Dieser Spannungswert wird Schleusenspannung genannt, weil die Sperrschicht abgebaut wird und der pn-Übergang sich für den Stromfluss öffnet. Die Schleusenspannung wird auch Schwellspannung genannt.

Wie ist eine halbleiterdiode aufgebaut?

Eine Halbleiterdiode ist ein elektronisches Bauelement, das aus zwei unterschiedlich dotierten Schichten desselben Grundmaterials aufgebaut ist. Sie besteht aus einem n-Halbleiter und einem p-Halbleiter sowie dem Bereich zwischen beiden Schichten, dem pn-Übergang.

Was gibt die Durchbruchspannung an?

Durchbruchspannung bezeichnet eine elektrische Spannung mit folgenden Bedeutungen: Allgemein die Überschreitung der dielektrischen Durchbruchspannung; im Speziellen bei Gasentladungsröhren die Spannung, bei der das neutrale Gas schlagartig leitend wird; siehe Durchschlagsfestigkeit.

Was versteht man unter einer P leitenden Schicht?

P-leitend oder p-dotiert nennt man diese Halbleiter weil die Leitfähigkeit auf positiven Löchern beruht. Analog zu n-dotierten Halbleitern, sind hier die Löcher die Majoritätsladungsträger, freie Elektronen die Minoritätsladungsträger.

Was versteht man unter der Eigenleitung der Halbleiterwerkstoffe?

b) Unter der Rekombination im Halbleiterkristall versteht man das Auffüllen der Löcher mit Elektronen. Die durch die Elektronen-Löcher-Paare bedingte Leitfähigkeit eines Halbleiterkristalls wird als Eigenleitung bezeichnet. Damit bringt man zum Ausdruck, dass die Ladungsträger aus dem Halbleiter selbst stammen.

Was versteht man unter potentialdifferenz?

Potentialdifferenz, die durch ein elektrisches Feld an einer positiven Probeladung verrichtete Arbeit pro Ladungseinheit bei dem Transport der Probeladung von Punkt 1 nach Punkt 2: Sie wird meist als elektrische Spannung bezeichnet.

Was macht eine Fotodiode?

Eine Photodiode oder auch Fotodiode ist eine Halbleiter-Diode, die Licht – im sichtbaren, IR-, oder UV- Bereich, oder bei Verwendung von Szintillatoren auch Röntgenstrahlen – an einem p-n-Übergang oder pin-Übergang durch den inneren Photoeffekt in einen elektrischen Strom umwandelt oder – je nach Beschaltung – diesem ...

Warum wird die Grenzschicht ohne angelegte Spannung nicht breiter?

Dabei hat gegenüber der Grenzfläche der P-Leiter eine negative Spannung und der N-Leiter eine positive Spannung. Diese Spannungen verhindern ein weiteres Eindringen von Ladungsträgern in die Grenzschicht. ... Wird von außen keine Spannung angelegt, so stellt sich die Breite der Sperrschicht von selbst ein.

Welche Besonderheit haben z Dioden?

Eine Z-Diode (auch Zener-Diode) ist eine Diode, die darauf ausgelegt ist, dauerhaft in Sperrrichtung im Bereich der Durchbruchspannung betrieben zu werden. ... In Durchlassrichtung verhalten sie sich wie normale Dioden. In Sperrrichtung sind Z-Dioden bei geringen Spannungen sperrend, genauso wie normale Dioden.

Wieso kann kein Strom durch die Diode fließen wenn man die Spannung in Sperrrichtung anlegt?

Grundschaltung der Diode in Sperrrichtung

Die Diode sperrt und es fliesst kein Strom. Genaugenommen fliesst der sehr kleine Sperrstrom IReverse. Praktisch die ganze Quellenspannung fällt über der Diode ab und zeigt sich dort als VReverse. Über dem Widerstand fällt so gut wie keine Spannung ab.